SK Hynix（海力士）表示，该公司已于近期内成功研发出基于三层储存单元 (Triple Level Cell，TLC) 的 176 层堆栈 512Gb NAND 快闪存储器。

在去年 6 月的时候，SK 海力士抢先全世界，成功量产了 128 层堆栈的 4D NAND 快闪存储器。而在这回，SK 海力士则是晚了美国美光 (MU-US) 一步，美光在 11 月的时候宣布该公司已经展开 176 层堆栈 NAND 快闪存储器的出货。

有关这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器，该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平，比起上一代的 128 层堆栈产品，生产率提高 35% 以上，也随之拉高在成本方面的竞争力。

此外，比起上一代产品，资料读取速度快 20%，数据的传输速度更提升 33% 至 1.6Gb/s。

在上个月的时候，SK 海力士已将 NAND 样本提供给生产快闪存储器控制芯片的厂商，计划 2021 年 6 月左右进入量产，并依序推出消费级 SSD、企业级 SSD 等产品，将市场扩展到各个领域。

除了智能手机，新产品还可用于个人电脑和服务器配备的存储器固态硬盘（SSD）等。目前，SK 海力士已开始向客户企业提供样品，计划 2021 年中期开始量产。

另外，根据了解，全球最大存储器厂的三星电子 (005930-KR) 目前正着手第 7 代 V-NAND 的研发，预计 2021 年展开量产。

NAND 闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。NAND 闪存市场竞争激烈，围绕堆叠技术的较量也一直非常紧张。

整体来看，继过去一年堆叠技术突破 100 层之后，各厂商开始往更高层数上推进。

作为 NAND 闪存市场的重要玩家，美光率先开发出了 176 层产品。今年 11 月，美光宣布成功开发出了 176 层产品，与 128 层产品相比，读写延迟降低了 25%以上。

全球最大 NAND 闪存制造商三星电子的第七代 V-NAND 正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代 V-NAND 采用单堆叠技术最多可具有 128 层，采用双堆栈技术后，256 层堆叠是可能的。”

三星方面还表示，芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。