SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V，这样一来，在保证同样的性能水平条件下，设备的耗电量比过去能降低50%以上。而设备的核心电压部分，LPDDR2 的标准也同样降低到1.2V(LPDDR则为1.8V)，进一步减小了设备的能耗。

       除此之外，SK hynix LPDDR2 还支持Partial Array Self Refresh以及Per-Bank Refresh等高级电源管理特性。Partial Array Self Refresh允许内存阵列的某一部分在没有工作负荷时关闭，可以由程序来根据实际的需求来实时控制内存容量的大小。

       LPDDR2 也是第一个横跨两种存储设备类型的标准。该标准允许NVM与SDRAM使用同样的总线接口，这样便可减小控制器的针脚数并提高内存芯片的密度。

       SK hynix LPDDR2 还支持多种不同的设备配置，这使该标准的普适性大大增强，它支持的设备配置包括：

       * 设备工作频率可由100MHz--533MHz

       * 支持x8, x16以及x32多种数据位宽

       * 支持1.8V/1.2V两种核心电压，并具备两种预取可选项（2bit或4bit）

       * 支持的存储密度范围大（NVM设备支持：64Mb-32Gb，DRAM支持：64Mb-8Gb）

       LPDDR2 具备低能耗，高性能，可伸缩性好，NVM与SDRAM可共享接口的优势。为移动设备产业提供了一种新型的低能耗内存设备，为手持设备运行对性能要求较高的游戏或高清视频提供了一种解决方案。

       以下是hynix LPDDR2 型号一览：

容量 ORG. 速度 型号 封装 特性 量产

4Gb 128M x 32 DDR2-1066 H9TKNNN4GDARHR-NGM FBGA(216ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

4Gb 128M x 32 DDR2-800 H9TKNNN4GDARHR-NDM FBGA(216ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

4Gb 128M x 32 DDR2-1066 H9TKNNN4GDMPLR-NGM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

4Gb 128M x 32 DDR2-800 H9TKNNN4GDMPLR-NDM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

2Gb 64M x 32 DDR2-1066 H9TKNNN2GDAPLR-NGM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

2Gb 64M x 32 DDR2-800 H9TKNNN2GDAPLR-NDM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

2Gb 64M x 32 DDR2-800 H9TKNNN2GDMPLR-NDM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

2Gb 64M x 32 DDR2-667 H9TKNNN2GDMPLR-NYM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

1Gb 32M x32 DDR2-800 H9TKNNN1GDAPLR-NDM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now 

1Gb 32M x32 DDR2-667 H9TKNNN1GDAPLR-NYM FBGA(168ball) 8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V Now