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SK Hynix(海力士)宣布投资45.76亿元建设第一条EUV技术产线(2026/6/7更新)

SK Hynix(海力士)将针对2月才落成的M16新晶圆厂,投资8000亿韩元(约人民币45.76亿元)设置生产设备,预计2021年底前达到每月量产1.8万片12英寸晶圆的产能规模。

 

据韩国供应链人士的说法,SK海力士M16晶圆厂预计投资8000亿韩元进行采购,以期在2021年第三季达到每月量产8000片晶圆,第四季再增加10000片晶圆的产能,而目前正在与供应商进行设备采购的时程计划。

 

这一投资计划将分别在第三和第四季度进行。SK海力士已经与韩国内外的设备供应商商讨了详细进度。从金额上看,规模约达8000亿韩元。一位了解此事的业内人士表示,“SK海力士计划下半年向M16投资18K的规模。据我所知,他们目前正在协商购买设备的事宜。”

 

根据SK海力士之前在财务会议上所公布的消息指出,针对M16晶圆厂的量产计划,是将部分2022年的规划提前到2021年,原因是因应全球存储器供应吃紧。

 

SK海力士M16晶圆厂位于京畿道利川市,于2018年11月动工,2021年2月落成,是SK海力士旗下最新晶圆厂,总投资金额达3.5万亿韩元。其中,将设立SK海力士产线中的第一条EUV技术产线。因EUV光源ArF更短,更适合进行半导体电路微缩设计,提高芯片性能及生产效能。这家韩国第二大的存储芯片制造商。

 

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询资料显示,存储器供应吃紧,上半年DRAM涨幅达20%。第三季的合约价格还将再上涨3%~8%,下半年市况看好。因此,为因应这样的市场发展,SK海力士积极针对M16晶圆厂进行产能的规划,预计2021年底能达到每月1.8万片的产能之外,还准备在M16厂进行第四代10纳米级(1a)制程的DRAM生产。目前SK海力士虽然已经宣称开发出第四代10纳米级制程的DRAM,不过当前仍需要时间来提升产品生产的良率。

 

目前,SK海力士与三星都计划在2021年底前量产第四代10纳米级制程的DRAM,不过美光科技(Micron)已于6月初宣布,正式出货第四代10纳米级制程的LPDDR4x存储器。这是美光在没有采用EUV技术下所量产的产品,不论在推出时程及技术层次都明显领先三星与SK海力士,为避免领先的竞争优势被超车,所以SK海力士借此展现实力。

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