SK hynix Nand Flash的电源电压范围为1.8～3.6V，功耗低，TSOP封装，体积小，目前最大单片容量可达512Gb，按页读写，按块擦除。...

HBM2E 拥有超高速、高容量、低能耗等特性，是适合深度学习加速器、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案。...

这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器，该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平，比起上一代的 128 层堆栈产品，生产率提高 35% 以上，也随之拉高在成本方面的竞争力。...