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内存芯片·NAND Flash
SK Hynix海力士闪存芯片NAND Flash存储器具有容量较大、改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,在业界广受应用。
DDR3 SDRAM
海力士公司DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快,使用了SSTL接口,运作电压是1.5V,采用CSP、FBGA封装方式。
eMMC·SDR
SK海力士半导体公司eMMC是对存储容量有较高要求的消费电子产品,由嵌入式存储解决方案组成,带接口快闪存储器设备。
DDR2·LPDDR2
SK Hynix的所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,不同于广泛应用的TSOP形式,提供了更良好的电气性能与散热性。
SK Hynix(海力士)公司概况:Hynix中国授权代理商

SK Hynix海力士半导体即是原来的现代内存,Hynix是世界第三大内存制造商,致力于以DRAM和NAND Flash为主半导体产品的生产,是全球第二大DRAM制造商,在整个半导体公司中排名前十位。在中国市场占有率处于第一位。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。海力士半导体(中国)有限公司是在无锡落户的世界一流的生产半导体存储器的外商独资公司,总投资约50亿美元,是中国半导体单体投资规模最大、技术最先进的项目,其主要产品为12英寸集成电路晶圆。2013年海力士位于中国无锡的工厂发生火灾,这导致了DRAM存储芯片价格的大幅上涨,由此可见Hynix公司海力士在全球内存芯片上的地位之重,2013年11月Hynix海力士宣布已经开始量产16nm的64GB(千兆)的MLC NAND闪存。从19纳米进入到16nm时,也就意味这将会是现阶段业界最小的NAND闪存制程,另一方面,SK Hynix 也成功研发了 128Gb,业界最高密度的单一 MLC 颗粒,当然这也是基于 64Gb 16nm 的规范...

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Hynix海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的内存芯片等半导体产品,也是全球第二大 NAND 闪存制造商

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