HBM2E 拥有超高速、高容量、低能耗等特性，是适合深度学习加速器、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案。...

本次收购包括英特尔 NAND SSD 业务、NAND 部件及晶圆业务，以及其在中国大连的 NAND 闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔®傲腾™业务。...

SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的数据传输速率高达 4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相较前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。...

使用 SK 海力士 1Y nm 生产技术制造的首批产品将是其 8Gb DDR4-3200 内存芯片。...

根据SK海力士之前指出，针对M16晶圆厂的量产计划，是将部分2022年的规划提前到2021年，原因是因应全球存储器供应吃紧。...

SK hynix eMMC 的应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器。

SK hynix LPDDR (Mobile DDR SDRAM)非常适合于使用电池的移动应用，如PDA，2.5G和3G手机与互联网接入，多媒体功能，迷你笔记本电脑，手持电脑等设备。

SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。数据路径内部流水线和2位预取达到非常高的带宽。所有输入和输出电压电平兼容与SSTL_2。

SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V，这样一来，在保证同样的性能水平条件下，设备的耗电量比过去能降低50%以上。

SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。