使用 SK 海力士 1Y nm 生产技术制造的首批产品将是其 8Gb DDR4-3200 内存芯片。...

HBM2E 拥有超高速、高容量、低能耗等特性，是适合深度学习加速器、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案。...

这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器，该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平，比起上一代的 128 层堆栈产品，生产率提高 35% 以上，也随之拉高在成本方面的竞争力。...

根据SK海力士之前指出，针对M16晶圆厂的量产计划，是将部分2022年的规划提前到2021年，原因是因应全球存储器供应吃紧。...

事发后，hynix公司立即启动应急预案，并疏散所有人员，无锡消防200多名官兵赶至现场扑救。截至18:00，明火已全部扑灭，从车间疏散出的人员中，一名人员受轻微外伤...

SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。

SK hynix DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装

SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。数据路径内部流水线和2位预取达到非常高的带宽。所有输入和输出电压电平兼容与SSTL_2。

SK hynix LPSDR 非常适合用于需要大量的存储密度和高带宽、使用电池的非PC应用，如PDA，2.5G和具有互联网接入和多媒体功能的3G手机，迷你笔记本，掌上型电脑等。

SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V，这样一来，在保证同样的性能水平条件下，设备的耗电量比过去能降低50%以上。