SK Hynix（海力士）透露，公司将增加其第一代 10 纳米级制造工艺（即 1X nm）的 DRAM 产量，并将在下半年开始销售其制造的第二代 10 纳米级制造技术（又名 1Y nm）的内存。加速向 10 纳米级技术的过渡将使该公司增加 DRAM 输出，最终降低成本，并为下一代内存做准备。

使用 SK 海力士 1Y nm 生产技术制造的首批产品将是其 8Gb DDR4-3200 内存芯片。该制造商表示，与使用其 1X nm 制造技术制造的类似器件相比，新工艺使其能够将 8Gb DDR4 器件的芯片尺寸缩小 20％，并将其功耗降低 15％。此外，SK 海力士即将推出的 8Gb DDR4-3200 芯片具有两项重要改进：4 相时钟方案以及 Sense 放大器控制技术。

虽然这些技术即使在今年对于 DDR4 也很重要，但据称 SK 海力士将使用其 1Y nm 制造工艺制造 DDR5，LPDDR5 和 GDDR6 DRAM。因此，海力士必须尽快提升其第二代 10 纳米级制造技术，为未来做好准备。