使用 SK 海力士 1Y nm 生产技术制造的首批产品将是其 8Gb DDR4-3200 内存芯片。...

HBM2E 拥有超高速、高容量、低能耗等特性，是适合深度学习加速器、高性能计算机等需要高度计算能力的新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案。...

事发后，hynix公司立即启动应急预案，并疏散所有人员，无锡消防200多名官兵赶至现场扑救。截至18:00，明火已全部扑灭，从车间疏散出的人员中，一名人员受轻微外伤...

根据SK海力士之前指出，针对M16晶圆厂的量产计划，是将部分2022年的规划提前到2021年，原因是因应全球存储器供应吃紧。...

本次收购包括英特尔 NAND SSD 业务、NAND 部件及晶圆业务，以及其在中国大连的 NAND 闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔®傲腾™业务。...

SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的数据传输速率高达 4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相较前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。...

SK 海力士称其强劲表现归因于对 DRAM 和 NAND 芯片的需求不断上升，尤其是来自华为的需求。存储芯片价格从去年的低点反弹，是利润飙升的原因之一。...

该公司计划将其位于清州市的 200mm 晶圆产线移至中国，以代工中低端产品。在韩国，海力士的代工业务将专注于高附加值产品，包括 300mm 晶圆图像传感器。...

SK hynix LPSDR 非常适合用于需要大量的存储密度和高带宽、使用电池的非PC应用，如PDA，2.5G和具有互联网接入和多媒体功能的3G手机，迷你笔记本，掌上型电脑等。

SK hynix LPDDR (Mobile DDR SDRAM)非常适合于使用电池的移动应用，如PDA，2.5G和3G手机与互联网接入，多媒体功能，迷你笔记本电脑，手持电脑等设备。

SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V，这样一来，在保证同样的性能水平条件下，设备的耗电量比过去能降低50%以上。

SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。数据路径内部流水线和2位预取达到非常高的带宽。所有输入和输出电压电平兼容与SSTL_2。

SK hynix SDR非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用。